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            行業(yè)新聞

            電磁感應(yīng)加熱電源發(fā)展與現(xiàn)狀

            自1831年法拉第發(fā)現(xiàn)以來,從1831年到今天,作為感應(yīng)加熱技術(shù)的一個重要理論基礎(chǔ),人類在20世紀30年代開始利用感應(yīng)加熱這一技術(shù),至今僅有80年的歷史。20世紀50年代前的20年間,感應(yīng)加熱技術(shù)發(fā)展緩慢,產(chǎn)品技術(shù)水平不高,主要有工頻感應(yīng)加熱爐、電磁倍頻器、中頻發(fā)電機和電子管高頻振蕩器加熱裝置。缺少培養(yǎng)式感應(yīng)加熱生長的基礎(chǔ)——電力電子技術(shù)和半導(dǎo)體功率器件。

            電磁感應(yīng)加熱電源發(fā)展與現(xiàn)狀(圖1)

            電力半導(dǎo)體功率器件的發(fā)展離不開感應(yīng)加熱電源的技術(shù)進步,因此,20世紀50年代出現(xiàn)了晶閘管(SCR),為感應(yīng)加熱電源的發(fā)展帶來了生機,其結(jié)構(gòu)面貌煥然一新,出現(xiàn)了高壓大功率變頻器感應(yīng)加熱電源,熱電流頻率由工頻擴展至中頻。60年代研制出出門極關(guān)斷晶閘管(GTO),使感應(yīng)加熱電源再次發(fā)生變化,可用外控信號關(guān)閉,避免晶閘管需要結(jié)構(gòu)復(fù)雜的強制換流電路,提高了變頻器電源的可靠性。

            電磁感應(yīng)加熱電源發(fā)展與現(xiàn)狀(圖2)

            假如晶閘管(SCR、GTO)的出現(xiàn)引起了感應(yīng)加熱電源的革命性變化,那么20世紀70年代,場效應(yīng)晶體管(MOSFET)和絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)的誕生,使得感應(yīng)加熱電源的發(fā)展如虎添翼,加熱的電流頻率達到了MHz級,感應(yīng)加熱電源趨于模塊化和標準化。

             

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